Om anvendelsen og prinsippet for sputtering target-teknologi, har noen kunder konsultert RSM, nå for dette problemet som er mer bekymret, deler tekniske eksperter noen spesifikk relatert kunnskap.
Sputtering-målapplikasjon:
Ladende partikler (som argonioner) bombarderer en fast overflate, noe som får overflatepartikler, som atomer, molekyler eller bunter, til å unnslippe fra overflaten av objektfenomenet kalt "sputtering".I magnetronforstøvningsbelegg blir de positive ionene generert ved argonionisering vanligvis brukt til å bombardere det faste stoffet (målet), og de sputterte nøytrale atomene avsettes på underlaget (arbeidsstykket) for å danne et filmlag.Magnetron sputtering belegg har to egenskaper: "lav temperatur" og "rask".
Magnetron sputtering prinsipp:
Et ortogonalt magnetfelt og elektrisk felt legges til mellom den sputterede målpolen (katoden) og anoden, og den nødvendige inerte gassen (vanligvis Ar-gass) fylles i høyvakuumkammeret.Den permanente magneten danner et 250-350 Gauss magnetfelt på overflaten av målmaterialet, og danner et ortogonalt elektromagnetisk felt med det elektriske høyspentfeltet.
Under påvirkning av elektrisk felt ioniseres Ar-gass til positive ioner og elektroner, og det er et visst negativt høyt trykk på målet, slik at elektronene som sendes ut fra målpolen påvirkes av magnetfeltet og ioniseringssannsynligheten for arbeidet. gassen øker.Et plasma med høy tetthet dannes nær katoden, og Ar-ioner akselererer til måloverflaten under påvirkning av Lorentz-kraft og bombarderer måloverflaten med høy hastighet, slik at de sputterede atomene på målet slipper ut fra måloverflaten med høy kinetisk energi og fly til underlaget for å danne en film i henhold til prinsippet om momentumkonvertering.
Magnetronsputtering er generelt delt inn i to typer: DC-sputtering og RF-sputtering.Prinsippet for DC-forstøvningsutstyr er enkelt, og hastigheten er høy ved sputtering av metall.Bruken av RF-sputtering er mer omfattende, i tillegg til sputtering av ledende materialer, men også sputtering av ikke-ledende materialer, men også reaktiv sputtering av oksider, nitrider og karbider og andre sammensatte materialer.Hvis frekvensen av RF øker, blir det mikrobølgeplasma-sputtering.For tiden er elektronsyklotronresonans (ECR) type mikrobølgeplasmaforstøvning ofte brukt.
Innleggstid: Aug-01-2022